на главную Написать письмо карта сайта

 

Рус / Eng

 
 

Новости

Семинары и конференции

Защиты диссертаций

 
 
      

Вопросы физики новых твердотельных систем

Тематический семинар Курчатовского комплекса НБИКС-технологий НИЦ "Курчатовский институт"

Руководитель семинара: В.А. Демин,

заместитель руководителя: В.Г. Сторчак,

по вопросам работы семинара обращаться к cекретарю семинара Андрею Вячеславовичу Емельянову,

тел:8 (499) 196-66-28; 8 (926) 483-02-04, e-mail: Emelyanov_AV@nrcki.ru

 

 

2017 год

 

 

27 сентября (среда) в 15:30, здание 190, в переговорной комнате (к. 378)

1. Тема: "Синтез наногетерогенных систем методом ионно-лучевого распыления, структура и свойства"

Докладчик: А.В. Ситников (доктор физико-математических наук, профессор, Воронежский государственный технический университет)

 

Аннотация:

В докладе подведены итоги многолетней работы по синтезу различного типа гетерогенных систем методом ионно-лучевого распыления. Представлены установка ионно-лучевого распыления и методики получения нанокомпозитов: (1) металл-диэлектрик и металл-углерод, (2) многослойных систем композит-композит и композит-полупроводник. Рассмотрены структурные особенности данных нанокомпозитов и многослойных систем на их основе, их электрические и магнитные свойства.

 

2. Рассмотрение принятых к печати и подготовленных к публикации в 2017 году научных работ, включенных в международную базу цитирования Web of Science, выполненных сотрудниками НИЦ «Курчатовский институт» или в соавторстве с ними (прием заявок осуществляется до 22.09.2017 включительно). Заявки на рассмотрение статей

 

 

12 июля

1. Тема: "Особенности распределения электронной плотности в кристаллах сплавов (GeTe)m-(Sb2Te3)n, используемых в устройствах для хранения данных, и в высокотемпературных сверхпроводниках"

Докладчик: В.Г. Орлов (кандидат физико-математических наук, доцент, управление базовых образовательных структур высшего образования НИЦ "Курчатовский институт"

 

Аннотация:

Несмотря на широкое использование псевдобинарных сплавов (GeTe)m-(Sb2Te3)n до настоящего времени нет понимания механизма чрезвычайно быстрых (характерные времена порядка 1-100 нс) процессов аморфизации и рекристаллизации вышеназванных сплавов, получивших название Phase Change Materials (PCM).

 

Для выяснения роли электронной подсистемы в формировании необычных свойств PCM, а также для установления природы химической связи в них нами были выполнены расчеты электронной зонной структуры соединений GeTe, Sb2Te3, GeSb2Te4 и Ge2Sb2Te5, обладающих свойствами PCM. Вычисления делались на основе метода функционала электронной плотности с использованием комплекса программ WIEN2k. Полученная в результате расчетов электронная плотность с(r) анализировалась с помощью программы Critic2, предназначенной для топологического анализа скалярных полей в периодических структурах. В результате проведенных расчетов и анализа результатов нами были выявлены параметры критических точек в распределении электронной плотности, характерные для PCM. В частности, было показано, что седловые критические точки типа bond в  PCM имеют положительный знак лапласиана электронной плотности, что свидетельствует о выталкивании электронного заряда из областей кристалла, окружающих данные критические точки. Найденные параметры критических точек позволяют сделать предположение о заметной  роли флуктуаций электронной плотности в PCM. Существенное также для кристаллохимии PCM наблюдение состоит в том, что все критические точки в распределении электронной плотности располагаются в позициях высокой  симметрии кристаллической структуры (Wyckoff positions). 

 

С целью выявления природы неустойчивостей в электронной подсистеме высокотемпературных сверхпроводников, таких как страйпы или нематическое нарушение вращательной симметрии, были проведены расчеты электронной зонной структуры ряда халькогенидов висмута, оксида висмута, пниктидов железа, а также Bi2Sr2CaCu2O8, YBa2Cu3O7 и La2CuO4. Было найдено, что критические точки типа bond в распределении электронной плотности ρ(r) всех исследованных соединений характеризуются положительным знаком лапласиана электронной плотности. В сверхпроводниках и родственных соединениях была обнаружена корреляция между температурой сверхпроводящего перехода Tc и величиной лапласиана электронной плотности в критических точках типа bond с наивысшим зарядом ρb.

 

2. Рассмотрение принятых к печати и подготовленных к публикации в 2017 году научных работ, включенных в международную базу цитирования Web of Science, выполненных сотрудниками НИЦ "Курчатовский институт" или в соавторстве с ними (прием заявок осуществляется до 07.07.2017 включительно). Статьи

 

 

8 июня

1. Тема: "Рентгеновская спектроскопия поглощения XAS"

Докладчик: А.Л.Тригуб ( кандидат физико-математических наук, младший научный сотрудник, НИЦ "Курчатовский институт")

 

Аннотация:

В докладе представлены методы рентгеновской спектроскопии поглощения. Основные аспекты экспериментальной техники. Основы теоретического описания. Методы обработки экспериментальных данных. Возможности методов и примеры использования в НИЦ "Курчатовский институт".

 

2. Рассмотрение принятых к печати и подготовленных к публикации в 2017 году научных работ, включенных в международную базу цитирования Web of Science, выполненных сотрудниками НИЦ "Курчатовский институт" или в соавторстве с ними.  Заявки на рассмотрение статей

 

 

20 апреля

1. Тема: "Применение времяпролетной масс-спетрометрии для анализа конструкционных и функциональных материалов, создания двумерных и объемных химических карт объектов, обратного проектирования технологий"

Докладчик: Д.В.Шепель (кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник,Институт Химической Физики РАН)

 

Аннотация:

Метод масс-спектрометрии появился почти 100 лет назад и нашел широкое применение в самых различных областях научных исследований - от анализа радиоактивных изотопов в геологических породах до определения химического строения живых объектов. За свою столетнюю историю масс-спектрометрия приобрела сотни различных методик, вариаций и технических особенностей, позволяющих самым активным образом использовать ее для разработки и обратного проектирования технологий в материаловедении, микроэлектронике, фармакологии и медицине. В докладе будут кратко представлены физические основы масс-спектрометрии, виды и качество получаемой информации, показано место метода среди существующих способов исследования вещества. Также сделан обзор основных преимуществ и недостатков различных вариантов технической реализации метода (по способам ионизации образца и детектирования ионов). Отдельно продемонстрированы примеры решенных масс-спектрометрией исследовательских задач материаловедения: многослойные полупроводниковые и металлические гетероструктуры, композиты, полимеры, ионная имплантация, анализ изотопного состава в материалах, оценка места происхождения материалов и сырья, анализ загрязнений, контроль качества технологических изделий различного назначения.

 

2. Рассмотрение принятых к печати и подготовленных к публикации в 2017 году научных работ, включенных в международную базу цитирования Web of Science, выполненных сотрудниками НИЦ "Курчатовский институт" или в соавторстве с ними.

 

 

30 марта

1. Тема: "Энергетический спектр и примесные состояния ванадия в узкощелевых полупроводниках на основе теллурида свинца"

Докладчик: А.И. Артамкин (научный сотрудник, кандидат физико-математических наук, МГУ им.М.В. Ломоносова)

 

Аннотация:

Проанализирован характер изменения гальваномагнитных свойств монокристаллов PbTe(V) при изменении содержания легирующей примеси. Определено влияние межпримесной корреляции на величину подвижности носителей заряда. Исследована температурная зависимость гальваномагнитных параметров монокристаллов Pb1 - xMnxTe(V). Получена зависимость энергии активации примесных состояний в зависимости от содержания марганца. На основании зависимостей действительной и мнимой частей проводимости от частоты делается вывод о прыжковой проводимости, что связывается с процессами перезарядки примесных центров. Отсутствие эффекта задержанной фотопроводимости в Pb1 - xMnxTe(V) связывается с величиной рекомбинационных барьеров в Pb1 - xMnxTe(V). Исследована кинетика фотопроводимости монокристаллов PbTe(V) при похождении лазерных импульсов с длиной волны 90, 148, 280 мкм в температурном диапазоне от 8 до 300 К. На основе анализа кинетики фотопроводимости в зависимости от температуры и длины волны падающего излучения сделаны выводы о механизмах терагерцовой фотопроводимости.

 

2. Рассмотрение принятых к печати и подготовленных к публикации в 2017 году научных работ, включенных в международную базу цитирования Web of Science, выполненных сотрудниками НИЦ "Курчатовский институт" или в соавторстве с ними.

 

 

2 марта

1. Тема: "Разработка СВЧ монолитных интегральных схем на основе нитридных гетероструктур в НИЦ "Курчатовский институт"

Докладчик: М.Л. Занавескин (кандидат физико-математических наук, руководитель Отдела прикладных наноэлектронных структур НИЦ "Курчатовский институт")

 

Аннотация:

Работы НИЦ "Курчатовский институт" в области нитридной электроники направлены на полный цикл создания монолитных интегральных схем СВЧ диапазона до 100 ГГц и выше: получение гетероструктур, разработка оригинальной технологии создания компонентной базы и проектирование монолитных интегральных схем. Ближайшая перспектива - разработка технологии производства гетероструктур и технологии создания интегральных схем.

 

Основные тренды развития в нитридной СВЧ электронике – это повышение рабочих частот, увеличение удельных мощностей и понижение шумов транзисторов в интегральных схемах. Следует подчеркнуть, что в НИЦ "Курчатовский институт" создана уникальная для России инфраструктура, которая позволяет взяться за решение всех актуальных научно-технологических вызовов современной нитридной СВЧ электроники. Сочетание различных ростовых технологий, современного парка оборудования для создания микроэлектронных устройств, а также широкого спектра аналитического оборудования позволит в срок один-два года разработать не имеющую аналогов в России технологическую платформу для создания монолитных СВЧ интегральных схем на частотный диапазон до 100 ГГц и выше.

 

На настоящий момент в НИЦ "Курчатовский институт":

-  Разработана уникальная для РФ технология роста нитридных гетероструктур приборного качества с ультратонкими барьерными слоями до 3-5 нм, необходимых для создания МИС на диапазон до 100 ГГц и выше.

-  Разработана технология получения доращиваемых контактов к двухмерному электронному газу, достигнуты значения удельного сопротивления контактов 0,1 Ом мм.

-  Разработана оригинальная технология, позволяющая создавать транзисторы с расстоянием исток-сток менее 1 мкм.

-  Разработанные технологии применены при создании ряда изделий, включая усилитель мощности на диапазон 92-96 ГГц.

 

Работы ведутся на основе подложек сапфира, карбида кремния собственного производства и отечественных эпитаксиальных структур AlGaN/GaN. НИЦ "КИ" принимал участие в создании усилителей 92-96 ГГц для спутниковых систем связи.

 

2. Рассмотрение принятых к печати и подготовленных к публикации в 2017 году научных работ, включенных в международную базу цитирования Web of Science, выполненных сотрудниками НИЦ "Курчатовский институт" или в соавторстве с ними.

 

 

 

Архив семинара